光芯片国产替代加速 800G先机凸显

时间：2026年07月01日 09:40:41 中财网

　　中财网讯：数据显示，全球高端有源光芯片产能高度集中于海外，InP衬底长期供需紧张成为扩张瓶颈。公司动态显示，云南锗业、北京通美已实现6英寸InP衬底量产，九峰山实验室依托国产MOCVD设备在6英寸外延工艺上取得突破。随着800G和1.6T光模块需求快速扩张，硅光与TFLN技术路线正加速替代传统方案。

　　
　　一份研报观点认为，高端有源芯片IDM模式构成显著价值壁垒。研报指出，IDM企业能整合设计、制造与封测全链条，在工艺迭代快、良率要求高的领域具备明显响应优势，国内掌握全流程的领先厂商将在需求扩张期展现较强利润弹性。研报认为，InP材料和外延的国产化正填补供应链关键短板，相关环节企业将迎来从技术突破到规模放量的成长窗口。研报还指出，硅光凭借CMOS兼容性和成本优势，预计2026年其光模块销售额将首次超过全球市场一半，而TFLN在3.2T以上速率中性能突出，有望于2026年进入产业化元年，率先完成设计流片和量产配套的企业将获得显著先发优势。

　　
　　总结起来，研报侧重点是，国产替代打通瓶颈叠加下游高速率需求爆发，产业链核心环节有望迎来业绩与估值双重提升机会。