AI算力狂飙 HBM测试机国产替代加速

时间：2026年07月02日 19:55:25 中财网

　　中财网讯：数据显示，自2024年底AI算力需求爆发以来，DRAM与NAND Flash现货价格快速上涨，DDR4(8Gb)至2026年6月涨幅超17倍，DDR5(16Gb)同期涨幅约4.9倍。长鑫存储2025年预计营收618亿元，2026年一季度营收同比增719%，产能利用率长期保持90%以上。信息显示，AI服务器出货量2023-2025年接近翻倍，2026年预计达275万台，HBM因高带宽、低延迟优势成为AI芯片主流方案，在服务器BOM中价值量占比显著提升。

　　
　　一份研报观点认为，AI算力持续拉动HBM扩产，将催生存储测试机全新需求。研报指出，HBM采用3D堆叠架构，测试重心前移至KGSD环节，测试道数从传统DRAM的3-4道提升至15道以上，单机需求量约为传统DRAM的5-6倍，对供电能力、时序精度和高并行测试提出更高要求。研报认为，当前存储测试机市场由海外厂商主导，2025年爱德万占61%、泰瑞达占24%，国产化率仅8-10%，在自主可控背景下，国产设备商正加速技术突破，替代空间极为广阔。

　　
　　我们注意到，研报体现的核心逻辑是：存储厂商持续高资本开支叠加HBM量产节奏加快，将直接驱动测试设备量价齐升，国产领先厂商有望率先受益。整体看来，研报反映了AI产业链从芯片向设备端传导的确定性机会，尤其利好在存储测试机领域提前布局的企业。