英伟达800V加持 士兰微SiC放量在即
机构研报分析称,英伟达提出重建800VDC供电架构,采用固态变压器(SST)技术,将大幅降低铜缆消耗并提升电能转换效率。这一趋势直接利好SiC和GaN功率器件。信息显示,伊顿电气已发布采用全SiC模块的MV SST固态变压器2.0,全链效率达98.5%。英诺赛科也与英伟达合作,提供GaN电源解决方案。公司动态显示,士兰微8英寸SiC功率器件芯片生产线已通线,IPM模块产能提升至4000万只/月,12英寸高端模拟芯片扩产项目规划投资200亿元,目标形成年产54万片产能。 中财分析部剖析研报后认为,此研报的核心是士兰微IDM模式构建的护城河正转化为实实在在的业绩弹性。公司II代SiC-MOSFET已在大厂认证通过并批量供应AI算力中心电源,DrMOS、Efuse等产品也已导入量产。这意味着随着AI基础设施加速建设,公司高毛利产品出货量有望保持20-30%的快速增长,规模效应将进一步推高综合毛利率。 中财分析部认为,800VDC架构从AI工厂向更多高能耗场景渗透的确定性较强,士兰微在SiC器件性能优化和成本控制上的持续投入,正踩准这一市场爆发节奏。研报预计2026-2028年公司归母净利润有望达到8.24亿、10.60亿和13.95亿元,当前估值具备向上修复空间,核心驱动在于AI电源需求的持续放量与产能逐步释放带来的业绩兑现能力。整体看,公司在第三代半导体领域的卡位优势,正为股价提供坚实的基本面支撑。 中财网
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